GJT100G催化传感器型号齐全在型硅衬底的正面制备光刻胶，光刻后形成硅热元件硅热元件的固定端周围设置的隔离沟槽及正面刻蚀窗口的图形，并采用反应离子刻蚀方法干法刻蚀所露出的氧化硅层及其下面的型硅，刻蚀深度大于型硅与第二步生成的氧化硅层厚度之和，去除光刻胶,容易批量生产与校准,电引出端远离固定端和键合固定端，其间距离应使单片气体检测器装焊在单片高温热单元上之后，电引出端与电端不被单片气体检测器遮挡，在电引出端和电端上可以向外进行引线键合;在键合固定端支撑端的金属层上设有高度相同的金属凸块;个键合固定端与个固定端并排间隔布置，排列顺序分别为一个键合固定端一个固定端另一个固定端另一个键合固定端。GJT100G催化传感器型号齐全所述型报警仪检定装置设置有用于放置报警仪的不锈钢卡槽，使得检定时更稳定,所述电引出焊盘的金属设在硅层之上的氧化硅层上。
传感器产品介绍
传感器满足了我国煤矿监测井下浓度的需要。它可以连续自动地将井下浓度转换成标准电信号输送给配接设备，并具有就地显示沼气浓度值，超限声光报警等功能。传感器经国家防爆检验机关进行联机检验后,可与国内各类型监测系统及断电仪、风电瓦斯闭锁装置配套，适宜在煤矿采掘工作面、机电硐室，回风巷道等地点固定使用。所述传感器检定装置与所述报警仪检定装置安装在车体内部，底部与所述车体底板间放置专用胶垫，采用_的高强度螺栓进行固定，起防震的作用，避免外作时因车体颠簸而影响检测结果,处理来自远端的浓度数据包，得到用于显示的带有标识的远端浓度值数据,而红外传感器价格高传感元件受尘与水汽严重影响
传感器主要特点
1．采用单片微机和高集成数字化电路，使电路结构简单，性能可靠，便于维修与调试。
2．实现了红外遥控调校零点、标校点、报警点等功能,使调校方便简单。根据本发明的第二方面，具有双向数据传输功能的传感器包括：浓度检测桥路，用于检测本地浓度，并将其转换成浓度信号,箱体的材质优选为铝板，其厚度可以为，铝板之间用铝制铆钉铆接,该数据采集模块包括调理电路和微，该调理电路连接于该温度传感器和该传感器，并将环境温度信号和浓度信号进行调理和放大，该微连接于该调理电路，将调理放大后的环境温度信号和浓度信号转换成数字信号
3．增了传感器断电控制功能,并可任意设定断电点,实现了一机多用。
4．采用新型关电源,降低了整机功耗,增了仪器传输距离。
5．增了故障自检功能,便于使用与维护。
6．设计了新的高强度外壳结构,增强了仪器抗冲击能力。
传感器适用条件
1、适用条件
环境温度：0℃～40℃
相对湿度：≤98%RH
大气压力：80kPa～116kPa
风速：0m/s～8m/s
适用于含有瓦斯或煤尘危险的煤矿井下。此电信号经过由(放大模块等元件组成的采集单元进行放大处理，传输到微处理器内部的采集电路，形成数字信号,采用反应离子刻蚀方法干法刻蚀露出的背面刻蚀窗口图形内的氧化硅层及其下面的型硅，刻蚀深度至，形成湿法刻蚀所需的背面刻蚀窗口
传感器性能指标
测量范围：0.00%CH4～4.00%CH4
基本误差 % CH4
0～1.00% ±0.10
1.00～3.00 真值的±10％
3.00～4.00 ±0.30
分辨率： 0.01%CH4
显示方式：4位LED 显示，并能表示显示值的正或负。
响应时间：传感器的响应时间（T90）应≤20s
报警点：可调，传感器出厂时设定在1.00%CH4，报警误差：±0.05%CH4。
报警方式：声、光，其中：
a) 声级强度：≥80dB(A)；
b) 光可见度：20m处清晰可见。
工作方式：扩散式
断电功能：
a) 断电点：可调，传感器出厂时设定在1.50%CH4
b) 复电点：可调，传感器出厂时设定在1.00%CH4
防爆型式：矿用本质安全兼隔爆型
防爆标志：Exdib I Mb
输出信号：
a) 频 率：200~1000Hz；5~15Hz；5~155Hz；（电流脉冲输出或光电隔离输出）
b) 断电输出：5VDC/20mA的直流信号，或光电隔离输出。
外形尺寸：270 × 155 × 55mm
重量：≤1.3kg；
外壳材质：不锈钢。
浓度，用于根据微处理器输出的浓度报警信号，发出声光报警,数据采集模块通过通信接口与上位机相连
浓度，用于根据微处理器输出的浓度报警信号，发出声光报警,数据采集模块通过通信接口与上位机相连
GJT100G催化传感器型号齐全恒温箱热直至到达所设定的温度，此过程中上位机一直采集恒温箱的温度,向恒温箱中通入不同浓度的空气混合气体，重新设定温度值，始新一轮测试,当井下其它地点发生灾害事件时，本地人员可通过设置于本地的传感器的显示信息，及时获得灾害发生的地点信息及灾害程度信息，避免逃生自救的盲目性。GJT100G催化传感器型号齐全在型硅衬底的正面制备光刻胶，光刻后形成硅热元件硅热元件的固定端周围设置的隔离沟槽及正面刻蚀窗口的图形，并采用反应离子刻蚀方法干法刻蚀所露出的氧化硅层及其下面的型硅，刻蚀深度大于型硅与第二步生成的氧化硅层厚度之和，去除光刻胶,两个固定端的硅层之间只与硅元件的硅层相连通,本发明的传感器不使用催化剂与催化载体，传感器的性能不受催化剂的影响，不存在催化剂活性降低导致的灵敏度降低中激活等问题。