硅片晶圆生产清洗工艺中，使用超声波清洗机有效去除硅片晶圆表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破坏晶片表面特性。根据不同清洗工艺配置相应的清洗单元，各部分有独立控制，随意组合
1、炉前清洗：扩散前清洗。
2、光刻后清洗：除去光刻胶。
3、氧化前自动清洗：氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。
4、抛光后自动清洗：除去切、磨、抛的沾污。
5、外延前清洗：除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。
6、合金前、表面钝化前清洗：除去铝布线后，表面杂质及光胶残渣。
7、离子注入后的清洗：除去光刻胶，SiO2层。
8、扩散预淀积后清洗：除去预淀积时的BSG和PSG。
9、CVD后清洗：除去CVD过程中的颗粒。
10、附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物
